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1100℃真空管式爐

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管式PECVD等離子氣相沉積系統(tǒng)

KJ-TPECVD1100-S80CK3
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1200度箱式氣氛爐

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鉬帶加熱真空熱處理爐

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等離子增強(qiáng)pecvd系統(tǒng)比較好的廠家

作者:河南鴻爐來源：原創(chuàng) 發(fā)表時間：2016-10-08 10:46:08

PECVD系統(tǒng)即PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。
科佳pecvd設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
科佳pecvd設(shè)備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應(yīng)腔室等部件組成。

主要特點(diǎn)：
    1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
    2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
    3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
    4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
    5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

系統(tǒng)選型
項(xiàng) 目     推薦選型    管式加熱爐體
石英反應(yīng)腔室：根據(jù)需求選擇不同直徑的石英管作為反應(yīng)室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。
真空系統(tǒng) ：根據(jù)需求選擇不同真空效果的真空系統(tǒng)。有極限真空0.1Pa，極限真空0.001Pa，以及進(jìn)口高真空機(jī)組極限真空0.0001Pa供選擇。
質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)：根據(jù)需求選擇多路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)。有兩路，三路，四路，五路或更多路供選擇。
射頻等離子源：根據(jù)需求選擇強(qiáng)度不同的射頻電源。有（300W），（500W）或更大功率的射頻電源供選擇。

常見PECVD系統(tǒng)組合
1. 1200度60滑軌式微型管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，300W射頻電源
2. 1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源
3. 1200度60雙溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源
4. 1200度60三溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源
5. 1200度60微型預(yù)熱爐，1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源