在CVD技術(shù)中沉積溫度，進(jìn)入反應(yīng)室混合氣體的總流量及總壓力，混合氣體中各氣相成分的分壓力和它們之間的相對(duì)比例，沉積時(shí)間，基片的性質(zhì)、形狀和在反應(yīng)室中的位置等都是影響CVD沉積膜的質(zhì)量因素，而這些因素之間既互有聯(lián)系、又互相影響。lHZ高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
下面簡(jiǎn)單介紹一下沉積溫度對(duì)膜質(zhì)量的影響：lHZ高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
    不同的沉積溫度不但使膜的沉積速率不同，而且在不同溫度下同一反應(yīng)體系，沉積薄膜可以是單晶、多晶或非晶，甚至很難發(fā)生沉積。例如，以H2為攜帶氣體，以SH4和HCL為1:1的混合氣體為反應(yīng)氣體，在硅單晶基片上外延時(shí)沉積溫度、生長(zhǎng)速率和沉積層結(jié)構(gòu)的關(guān)系，因沉積溫度愈低，反應(yīng)生成的Si原子在基片表面的擴(kuò)散和遷移愈困難，它們來(lái)不及排列到正常格點(diǎn)上，從而會(huì)造成大量的缺陷?；蛘哒f(shuō)，溫度愈高，能夠使得在外延層中不產(chǎn)生缺陷，生長(zhǎng)速率也愈高，沉積速率愈高，薄膜的結(jié)晶排列也逐步由雜亂轉(zhuǎn)變?yōu)檎R規(guī)則。lHZ高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
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