CVD技術(shù)主要使用的設(shè)備是化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該設(shè)備主要應(yīng)用于各種CVD實(shí)驗(yàn)，也可用于真空燒結(jié)、真空氣氛保護(hù)燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備等多研究領(lǐng)域。使用該爐子做實(shí)驗(yàn)時(shí)，有如下特點(diǎn)：E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
1、設(shè)備的工藝操作都較簡(jiǎn)單、靈活性較強(qiáng)，能制備出配比各異的單一或復(fù)合膜層和合金膜層；E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
2、CVD法的使用性較廣泛，可制備各種金屬或金屬膜涂層；E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
3、因沉積速率可高達(dá)每分鐘幾微米到數(shù)百微米，因此生產(chǎn)效率高；E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
4、與PVD法相比較繞射性好，非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基本，如槽溝、涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜；E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
5、涂層致密性好，由于成膜過程溫度較高，膜基界面上的附著力很強(qiáng)，故膜層十分牢固；E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
6、承受放射線輻射后的損傷較低，能與MOS集成電路工藝相融合。E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司
CVD技術(shù)的不足，一是沉積溫度高可達(dá)800-1100°C,在這樣高的溫度下工件易于變形，特別是對(duì)于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件，對(duì)于其用途會(huì)受到一定的限制，二是由于參與沉積的反應(yīng)物質(zhì)及反應(yīng)后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蝕性，因此必須采取一定的防護(hù)措施。E8O高溫箱式電阻爐,管式爐,真空退火爐,真空燒結(jié)爐,管式高溫爐-鄭州科佳電爐有限公司